Tungsten Sputtering Target
2. Catálogo: producto de tungsteno
3. Material: tungsteno
4. Pureza: mayor o igual a 99.95%
5. Densidad: 19.3 g/cm³
6. Forma: objetivo plano, objetivo giratorio, objetivo de pulverización, objetivo cuadrado, objetivo de tubo, objetivo personalizado con forma irregular.
7. Especificación: Peso personalizado, objetivo menor o igual a 300 kg/PC.
8. Superficie: superficie enrollada en frío, superficie limpia química, superficie pulida
9. Aplicación: recubrimiento de pulverización de magnetrón
10. Estándar: ASTM B760, GB/T 3875-83
11. Lugar de origen: Luoyang, China.
Introducción
El objetivo de pulverización de tungsteno son los materiales de alta pureza utilizados en el proceso de pulverización, un método de deposición de vapor físico (PVD) empleado para depositar películas delgadas en las superficies. El tungsteno es un metal conocido por su alto punto de fusión (aproximadamente 3422 grados), dureza y excelente conductividad eléctrica, lo que lo convierte en un material ideal para los objetivos de pulverización en diversas industrias, como la electrónica, la óptica y la fabricación de semiconductores.
Características
Excelente resistencia a alta temperatura
El tungsteno tiene un punto de fusión de hasta 3422 grados, lo que le da una excelente resistencia a alta temperatura. Además, durante el proceso de pulverización, el objetivo de tungsteno puede resistir el bombardeo de iones de alta energía y no se deforma o se degrada fácilmente. Esto permite que el objetivo de tungsteno funcione de manera estable en entornos de alta temperatura y de alta energía.
Resistencia a la corrosión
Los materiales de tungsteno tienen buena oxidación y resistencia a la corrosión. En entornos químicos o de alta temperatura, el objetivo de pulverización de tungsteno puede resistir efectivamente la oxidación, la corrosión ácida y álcali, asegurando que el objetivo mantenga un buen rendimiento durante los procesos de pulverización múltiples.
Amplia gama de usos
Nuestros productos se utilizan ampliamente en semiconductores, optoelectrónica, materiales magnéticos y otros campos. En la industria de semiconductores, las películas delgadas de tungsteno se utilizan en el proceso de metalización de los circuitos integrados. En el campo óptico, las películas delgadas de tungsteno se utilizan para fabricar reflectores o materiales de recubrimiento.
Composición química del producto
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Composición química objetivo de tungsteno |
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W Contenido (%) |
Contenido de impureza (PPM) |
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Ti |
N / A |
C |
California |
Mg |
Si |
Alabama |
Como |
Ceñudo |
NI |
PB |
P |
Cu |
/ |
/ |
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Mayor o igual al 99.95% |
Menos de o igual a 10 ppm |
Menos de o igual a 5 PPM |
Menos de o igual a 20 PPM |
Menos de o igual a 10 PPM |
Menos de o igual a 7ppm |
Menos de o igual a 10 PPM |
Menos de o igual a 5 PPM |
Menos de o igual a 10 PPM |
Menos de o igual a 10 PPM |
Menos de o igual a 6 PPM |
Menos de o igual a 1 PPM |
Menos de o igual a 8 PPM |
Menos de o igual a 5 PPM |
/ |
/ |
Parámetros de rendimiento del producto
|
Parámetros de rendimiento del objetivo de tungsteno |
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Dimensiones de muestra |
12 mm × 80 mm × 100 mm |
|
Pureza |
Mayor o igual a 99.95% (3n5) |
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Estructura cristalina |
Cúbico centrado en el cuerpo (BCC) |
|
Tamaño de grano |
43μm |
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Densidad |
19.25 g/cm3 (cadera) |
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Punto de fusión |
3410 grados (+ 20 grado) |
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Punto de ebullición |
5900 grados |
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Conductividad térmica |
173 W/(m·K) |
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Conductividad eléctrica |
18.3×10-6 S/m |
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Coeficiente de expansión térmica |
4.5×10-6/K-1 |
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Dureza |
HV5: 280-310 |
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Acabado superficial |
RA menos o igual a 0. 4 μm |
Proceso de producción de productos
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